Если первая цифра 2 или 5, то последние две цифры показывают U_ст, например, КС213Б — U_ст = 13 В, 2С291А — 0U_ст = 91 В, если цифра 6, то к последним двум цифрам нужно прибавить 100 В, например, КС680А — U_ст = 180 В.

Маркировка

На корпусе диода обычно указывают материал полупроводника, из которого он изготовлен (буква или цифра), тип (буква), назначение или электрические свойства прибора (цифра), букву, соответствующую разновидности прибора, и дату изготовления, а также его условное обозначение. Условное обозначение диода (анод и катод) указывает, как нужно подключать диод на платах устройств. Диод имеет два вывода, один из которых катод (минус), а другой — анод (плюс).

Условное графическое изображение на корпусе диода наносится в виде стрелки, указывающей прямое направление, если стрелки нет, то ставится знак «+». На плоских выводах некоторых диодов (например, серии Д2) прямо выштамповано условное обозначение диода и его тип.

При нанесении цветового кода, цветную метку, точку или полоску наносят ближе к аноду (рис. 2.1).

Рис. 2.1. Нанесение цветового кода на диоды

Для некоторых типов диодов используется цветная маркировка в виде точек и полосок (табл. 2.1).

Диоды старых типов, в частности точечные, выпускались в стеклянном оформлении и маркировались буквой «Д» с добавлением цифры и буквы, обозначающих подтип прибора. Германиево-индиевые плоскостные диоды имели обозначение «Д7».

Таблица 2.1. Цветовая маркировка полупроводниковых диодов

_{* Цвет корпуса коричневый}

Общая характеристика

В современном понимании транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя или более р-n переходами и тремя или более выводами, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Наиболее широкое применение в радиолюбительских конструкциях находят биполярные и полевые транзисторы. У полевых транзисторов управление выходным током производится с помощью электрического поля, отсюда и название, полевые. Эти транзисторы имеют три электрода: исток, затвор и сток. Электроды полевого транзистора в определенной степени соответствуют электродам биполярного транзистора — эмиттеру, базе и коллектору. Достоинством полевого транзистора является то, что ток входного электрода (затвора) очень мал. Это определяет высокое входное сопротивление каскадов на этих транзисторах и тем самым устраняет влияние последующих каскадов схемы на предыдущие.

Еще одно достоинство этих транзисторов — низкий уровень собственных шумов, что дает возможность использовать полевые транзисторы в первых каскадах высококачественных усилителей звуковой частоты.

Основная классификация транзисторов

Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам. Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные. По исходному полупроводниковому материалу — германиевые и кремниевые.

Основными параметрами биполярных транзисторов являются:

• статический коэффициент усиления по току α в схеме с общей базой;

• статический коэффициент усиления по току β в схеме с общим эмиттером. Параметры α и β связаны зависимостями вида β = α/(1 — α) или α = β/(1 + β);

• обратный ток коллектора I_ко;

• граничная f_гр и предельная f_h21 частоты коэффициента передачи тока.

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

• напряжение отсечки U_o — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;

• максимальный ток стока I_с.макс;

• напряжения: между затвором и стоком U_зс, между стоком и истоком U_си и между затвором и истоком U_зи;

• входная С_вх, проходная С_пр и выходная С_вых емкости.

Система обозначений

Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква П и цифровой номер. По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции.

Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотные (до 5 МГц):

• 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;

• 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;

• 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;

• 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

• 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;

• 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;

• 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;

• 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.

Например, П416Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б; МП39Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1 элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.

2 элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3 элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Р_тах < 0,3 Вт:

1 — маломощный низкочастотный, f_гр< 3 МГц;

2 — маломощный среднечастотный, 3 < f_гр< 30 МГц;

3 — маломощный высокочастотный, 30 < f_гр < 300 МГц.

Транзисторы средней мощности, 0,3 < Р_тах < 1,5 Вт:

4 — средней мощности низкочастотный;

5 — средней мощности среднечастотный;

6 — средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности, Р_тах > 1,5 Вт:

7 — большой мощности низкочастотный;

8 — большой мощности среднечастотный;

9 — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (f_гр > 300 Гц).

4 элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5 элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.

Например, КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б. При изготовлении транзисторов используют различные технологические приемы, в результате чего получаются приборы со специфическими особенностями, эксплуатационными свойствами и параметрами. Цоколевка транзисторов, широко используемых радиолюбителями, дана на рис. 2.2.